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具有业界最高位密度的三星第8代VNAND开始生产

三星宣布,他们已开始量产具有业界最高位密度的1 太比特 (Tb) 单元 (TLC) 第八代 V-NAND。这种新的 V-NAND 还将具有市场上最高的存储容量,从而为下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。三星此前在 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日上宣布了其第 8代1Tb TLC V-NAND,并于 2020 年扩大了其在韩国平泽的 NAND 闪存产能。

三星表示,他们的第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使他们能够开发出更多独特的产品和解决方案。他们能够通过显着提高每个晶片的位生产率来实现这种位密度。

使用最新的“Toggle DDR 5.0 接口”,三星的新 V-NAND 技术具有高达 2.4Gbps 的 I/O 速度,大约是上一代产品的 1.2 倍。这将允许新的 V-NAND 支持 PCIe 4.0 和 PCIe 5.0 的性能要求和标准(尽管在以后的日期)。

三星认为,其第八代 V-NAND 将有助于扩展下一代企业服务器的存储容量。他们还计划将其应用扩展到汽车市场。

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